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IRF9Z34NSTRLPBF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRF9Z34NSTRLPBF
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- HEXFET®
- 描述：
- MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 55 V 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
- 规格说明书：
- IRF9Z34NSTRLPBF说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 35 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 620 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），68W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥7.113954 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥14.136969 | ￥14.14 |
| 10+ | ￥12.595206 | ￥125.95 |
| 100+ | ￥9.817298 | ￥981.73 |
| 800+ | ￥8.109908 | ￥6487.93 |
| 1600+ | ￥7.113954 | ￥11382.33 |
