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TK22E10N1,S1X
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- 制造商编号：
- TK22E10N1,S1X
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 系列：
- U-MOSVIII-H
- 描述：
- MOSFET N CH 100V 52A TO220
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 100 V 52A（Tc） 72W（Tc） TO-220
- 规格说明书：
- TK22E10N1,S1X说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba(东芝) |
| 系列 | U-MOSVIII-H |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 52A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 13.8 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 300µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 28 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1800 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 72W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FDP120N10 | onsemi | ¥18.74000 | 类似 |
| HUF75542P3 | onsemi | ¥26.88000 | 类似 |
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥5.586117 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥13.565025 | ￥13.57 |
| 10+ | ￥12.08916 | ￥120.89 |
| 100+ | ￥9.421911 | ￥942.19 |
| 500+ | ￥7.78334 | ￥3891.67 |
| 1000+ | ￥6.144732 | ￥6144.73 |
| 2000+ | ￥5.735084 | ￥11470.17 |
| 5000+ | ￥5.586117 | ￥27930.58 |
