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EPC2100ENGRT

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制造商编号:
EPC2100ENGRT
制造商:
EPC
系列:
eGaN®
描述:
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 N 通道(半桥) 30V 10A(Ta),40A(Ta) - 表面贴装型 模具
规格说明书:
EPC2100ENGRT说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 EPC
系列 eGaN®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能 GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A(Ta),40A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 8.2 毫欧 @ 25A,5V,2.1 毫欧 @ 25A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 4mA,2.5V @ 16mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.9nC @ 15V,19nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 475pF @ 15V,1960pF @ 15V
功率 - 最大值 -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 模具
供应商器件封装 模具
标准包装 500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
500+ ¥45.37231 ¥22686.15

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