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APTGT75DH120T3G
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- 制造商编号：
- APTGT75DH120T3G
- 制造商：
- Microchip微芯
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP3
- 详细描述：
- IGBT 模块 沟槽型场截止 非对称桥 1200 V 110 A 357 W 底座安装 SP3
- 规格说明书：
- APTGT75DH120T3G说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microchip(微芯) |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 配置 | 非对称桥 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 110 A |
| 功率 - 最大值 | 357 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.1V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 250 µA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 5.34 nF @ 25 V |
| 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 是 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SP3 |
| 供应商器件封装 | SP3 |
| 标准包装 | 1 |
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- 标准包装
- 1 / PCS
- 包装
- 散装
单价：￥869.130453 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 13+ | ￥869.130453 | ￥11298.70 |
