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IRLML2803TRPBF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRLML2803TRPBF
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- HEXFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 30 V 1.2A（Ta） 540mW（Ta） Micro3™/SOT-23
- 规格说明书：
- IRLML2803TRPBF说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 250 毫欧 @ 910mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 85 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 540mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RSR025N03TL | Rohm Semiconductor | ¥5.07000 | 类似 |
| AO3424 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥3.69000 | 类似 |
| DMN100-7-F | Diodes Incorporated | ¥5.22000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 338152
- 货期
- 大陆：7~10天
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥1.357808 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.675022 | ￥4.68 |
| 10+ | ￥3.82954 | ￥38.30 |
| 100+ | ￥2.606822 | ￥260.68 |
| 500+ | ￥1.955229 | ￥977.61 |
| 1000+ | ￥1.466527 | ￥1466.53 |
| 3000+ | ￥1.357808 | ￥4073.42 |
