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BSG0813NDIATMA1
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- 制造商编号：
- BSG0813NDIATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）非对称型 25V 19A，33A 2.5W 表面贴装型 PG-TISON-8
- 规格说明书：
- BSG0813NDIATMA1说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A，33A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.4nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1100pF @ 12V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 工作温度 | -55°C ~ 155°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | PG-TISON-8 |
| 标准包装 | 5,000 |
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- 标准包装
- 5,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥17.217946 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 5000+ | ￥17.217946 | ￥86089.73 |
