BSC020N025S G
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- 制造商编号:
- BSC020N025S G
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- OptiMOS™
- 描述:
- MOSFET N-CH 25V 30A/100A TDSON
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 25 V 30A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),104W(Tc) PG-TDSON-8-1
- 规格说明书:
- BSC020N025S G说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 25 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A(Ta),100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 110µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 66 nC @ 5 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 8290 pF @ 15 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2.8W(Ta),104W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-TDSON-8-1 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
标准包装 | 5,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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CSD16325Q5 | Texas Instruments | ¥16.66000 | 类似 |
CSD16321Q5 | Texas Instruments | ¥14.05000 | 类似 |
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- 包装
- 卷带(TR)
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阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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