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STGWT28IH125DF

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制造商编号:
STGWT28IH125DF
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
IGBT 1250V 60A 375W TO-3P
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 1250 V 60 A 375 W 通孔 TO-3P
规格说明书:
STGWT28IH125DF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 1250 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.5V @ 15V,25A
功率 - 最大值 375 W
开关能量 720µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 114 nC
25°C 时 Td(开/关)值 -/128ns
测试条件 600V,25A,10 欧姆,15V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装 TO-3P
标准包装 300

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
IXA37IF1200HJ IXYS ¥95.53000 类似
IXDR30N120D1 IXYS ¥90.31000 类似

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标准包装
300 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
600+ ¥25.310227 ¥15186.14

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