SI4621DY-T1-E3
![Vishay photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Vishay Siliconix.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/Vishay/ZYEkLHOE.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Vishay/ZYEkLHOE.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SI4621DY-T1-E3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- LITTLE FOOT®
- 描述:
- MOSFET P-CH 20V 6.2A 8SO
- 详细描述:
- 表面贴装型 P 通道 20 V 6.2A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) 8-SOIC
- 规格说明书:
- SI4621DY-T1-E3说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | LITTLE FOOT® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.2A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 54 毫欧 @ 5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 13 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 450 pF @ 10 V |
FET 功能 | 肖特基二极管(隔离式) |
功率耗散(最大值) | 2W(Ta),3.1W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 2,500 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
暂无报价 |