FDD6670A
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- 制造商编号:
- FDD6670A
- 制造商:
- ON安森美
- 系列:
- PowerTrench®
- 描述:
- MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 30 V 15A(Ta),66A(Tc) 3.2W(Ta),63W(Tc) TO-252AA
- 规格说明书:
- FDD6670A说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON(安森美) |
系列 | PowerTrench® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A(Ta),66A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 8 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 22 nC @ 5 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1755 pF @ 15 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 3.2W(Ta),63W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | TO-252AA |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IRFR3707ZTRPBF | Infineon Technologies | ¥8.22000 | 类似 |
STD40NF03LT4 | STMicroelectronics | ¥15.51000 | 类似 |
IPD40N03S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | ¥2.80535 | 类似 |
STD100N3LF3 | STMicroelectronics | ¥15.36000 | 类似 |
IPD090N03LGATMA1 | Infineon Technologies | ¥6.99000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥6.391576 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥13.266619 | ¥13.27 |
10+ | ¥11.849192 | ¥118.49 |
100+ | ¥9.240132 | ¥924.01 |
500+ | ¥7.633292 | ¥3816.65 |
1000+ | ¥6.391601 | ¥6391.60 |
2500+ | ¥6.391576 | ¥15978.94 |