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NTLLD4951NFTWG
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- 制造商编号：
- NTLLD4951NFTWG
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）非对称型 30V 5.5A，6.3A 800mW，810mW 表面贴装型 8-WDFN（3x3）
- 规格说明书：
- NTLLD4951NFTWG说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 最后售卖 |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.5A，6.3A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 17.4 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 605pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 800mW，810mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | 8-WDFN（3x3） |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| HS8K11TB | Rohm Semiconductor | ¥5.15000 | 类似 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 3000+ | ￥12.255136 | ￥36765.41 |
