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DMN1150UFB-7B
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- 制造商编号：
- DMN1150UFB-7B
- 制造商：
- Diodes美台
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 12 V 1.41A（Ta） 500mW（Ta） X1-DFN1006-3
- 规格说明书：
- DMN1150UFB-7B说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes(美台) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.41A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 106 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | X1-DFN1006-3 |
| 封装/外壳 | 3-UFDFN |
| 标准包装 | 10,000 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 10,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥0.662137 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.488519 | ￥4.49 |
| 10+ | ￥3.313546 | ￥33.14 |
| 100+ | ￥1.874361 | ￥187.44 |
| 500+ | ￥1.241492 | ￥620.75 |
| 1000+ | ￥0.951802 | ￥951.80 |
| 2000+ | ￥0.827665 | ￥1655.33 |
| 5000+ | ￥0.744895 | ￥3724.47 |
| 10000+ | ￥0.662137 | ￥6621.37 |
