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SISF02DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SISF02DN-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET® Gen IV
- 描述：
- MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共漏 25V 30.5A（Ta），60A（Tc） 5.2W（Ta），69.4W（Tc） 表面贴装型 PowerPAK® 1212-8SCD
- 规格说明书：
- SISF02DN-T1-GE3说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30.5A（Ta），60A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 56nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2650pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 5.2W（Ta），69.4W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8SCD |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8SCD |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥7.0819 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥15.56683 | ￥15.57 |
| 10+ | ￥13.931815 | ￥139.32 |
| 100+ | ￥10.85861 | ￥1085.86 |
| 500+ | ￥8.970473 | ￥4485.24 |
| 1000+ | ￥7.081963 | ￥7081.96 |
| 3000+ | ￥7.0819 | ￥21245.70 |
