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DMNH10H028SCT
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- DMNH10H028SCT
- 制造商：
- Diodes美台
- 系列：
- Automotive, AEC-Q101
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 100 V 60A（Tc） 2.8W（Ta） TO-220-3
- 规格说明书：
- DMNH10H028SCT说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes(美台) |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 28 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 31.9 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1942 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| AOT414 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥10.21000 | 类似 |
| FDP3672 | onsemi | ¥17.28000 | 类似 |
| IXTP44N10T | IXYS | ¥14.90000 | 类似 |
| IRF8010PBF | Infineon Technologies | ¥19.12000 | 类似 |
| IRL540NPBF | Infineon Technologies | ¥12.52000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥14.008879 | ￥14.01 |
| 10+ | ￥12.527061 | ￥125.27 |
| 100+ | ￥9.766548 | ￥976.65 |
| 500+ | ￥8.068134 | ￥4034.07 |
| 1000+ | ￥6.369652 | ￥6369.65 |
| 2000+ | ￥5.945008 | ￥11890.02 |
| 5000+ | ￥5.790591 | ￥28952.96 |
