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IXTH1N170DHV

IXYS photo

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制造商编号:
IXTH1N170DHV
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
Depletion
描述:
MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV
详细描述:
通孔 N 通道 1700 V 1A(Tj) 290W(Tc) TO-247HV
规格说明书:
IXTH1N170DHV说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 Depletion
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 16 欧姆 @ 500mA,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 47 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3090 pF @ 25 V
FET 功能 耗尽模式
功率耗散(最大值) 290W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247HV
封装/外壳 TO-247-3 变式
标准包装 30

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
30 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥142.949843 ¥142.95
10+ ¥131.367725 ¥1313.68
100+ ¥110.948273 ¥11094.83
500+ ¥98.695986 ¥49347.99
1000+ ¥92.817523 ¥92817.52

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