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PH5525L,115
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- 制造商编号：
- PH5525L,115
- 制造商：
- NXP恩智浦
- 系列：
- TrenchMOS™
- 描述：
- MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK56
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 25 V 81.7A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
- 规格说明书：
- PH5525L,115说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | NXP(恩智浦) |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 81.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2150 pF @ 12 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 62.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
| 标准包装 | 1,500 |
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- 标准包装
- 1,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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