PH5525L,115
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- 制造商编号:
- PH5525L,115
- 制造商:
- NXP恩智浦
- 系列:
- TrenchMOS™
- 描述:
- MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK56
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 25 V 81.7A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
- 规格说明书:
- PH5525L,115说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | NXP(恩智浦) |
系列 | TrenchMOS™ |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 25 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 81.7A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 5.5 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 16.6 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2150 pF @ 12 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 62.5W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | LFPAK56,Power-SO8 |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669 |
标准包装 | 1,500 |
价格库存
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- 标准包装
- 1,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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