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FQU2N90TU-WS

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制造商编号:
FQU2N90TU-WS
制造商:
ON安森美
系列:
QFET®
描述:
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
详细描述:
通孔 N 通道 900 V 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) I-PAK
规格说明书:
FQU2N90TU-WS说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 QFET®
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7.2 欧姆 @ 850mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 500 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 I-PAK
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
标准包装 5,040

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
5,040 / PCS
包装
管件
单价:¥4.947865 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥10.220395 ¥10.22
10+ ¥9.175975 ¥91.76
100+ ¥7.152784 ¥715.28
500+ ¥5.909029 ¥2954.51
1000+ ¥4.947865 ¥4947.86

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