APT75GP120B2G
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- 制造商编号:
- APT75GP120B2G
- 制造商:
- Microchip微芯
- 系列:
- POWER MOS 7®
- 描述:
- IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
- 详细描述:
- IGBT PT 1200 V 100 A 1042 W 通孔
- 规格说明书:
- APT75GP120B2G说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Microchip(微芯) |
系列 | POWER MOS 7® |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
IGBT 类型 | PT |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 300 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 3.9V @ 15V,75A |
功率 - 最大值 | 1042 W |
开关能量 | 1620µJ(开),2500µJ(关) |
输入类型 | 标准 |
栅极电荷 | 320 nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 20ns/163ns |
测试条件 | 600V,75A,5 欧姆,15V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 变式 |
标准包装 | 1 |
价格库存
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- 标准包装
- 1 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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1+ | ¥236.783118 | ¥236.78 |
100+ | ¥217.705167 | ¥21770.52 |