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NTB85N03T4G

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制造商编号:
NTB85N03T4G
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 28 V 85A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
规格说明书:
NTB85N03T4G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 28 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 85A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6.8 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 29 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2150 pF @ 24 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 80W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 800

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型号 品牌 参考价格 说明
IRL3803STRLPBF Infineon Technologies ¥19.51000 类似

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800 / PCS
包装
卷带(TR)
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