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STD10NM60ND

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制造商编号:
STD10NM60ND
制造商:
ST意法半导体
系列:
FDmesh™ II
描述:
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 600 V 8A(Tc) 70W(Tc) DPAK
规格说明书:
STD10NM60ND说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 FDmesh™ II
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 600 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 20 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 577 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 70W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥11.566652 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥21.485209 ¥21.49
10+ ¥19.269547 ¥192.70
100+ ¥15.485887 ¥1548.59
500+ ¥12.723247 ¥6361.62
1000+ ¥11.566639 ¥11566.64
2500+ ¥11.566652 ¥28916.63

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