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SI4500BDY-T1-E3

Vishay photo

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制造商编号:
SI4500BDY-T1-E3
制造商:
Vishay威世
系列:
-
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道,共漏 20V 6.6A,3.8A 1.3W 表面贴装型 8-SOIC
规格说明书:
SI4500BDY-T1-E3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 -
包装 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态 停产
FET 类型 N 和 P 沟道,共漏
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.6A,3.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 20 毫欧 @ 9.1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
功率 - 最大值 1.3W
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
标准包装 2,500

价格库存

库存
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货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
剪切带(CT)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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