SIHB33N60ET1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SIHB33N60ET1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- E
- 描述:
- MOSFET N-CH 600V 33A TO263
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 600 V 33A(Tc) 278W(Tc) D²PAK(TO-263)
- 规格说明书:
- SIHB33N60ET1-GE3说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | E |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 99 毫欧 @ 16.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 150 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3508 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 278W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D²PAK(TO-263) |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
STB34NM60ND | STMicroelectronics | ¥83.10000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥56.639643 | ¥56.64 |
10+ | ¥50.878791 | ¥508.79 |
100+ | ¥41.686048 | ¥4168.60 |
800+ | ¥35.486612 | ¥28389.29 |
1600+ | ¥32.066177 | ¥51305.88 |