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IS61WV25616EDBLL-10TLI
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IS61WV25616EDBLL-10TLI
- 制造商：
- ISSI芯成
- 系列：
- -
- 描述：
- IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
- 详细描述：
- SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb（256K x 16） 并联 10 ns 44-TSOP II
- 规格说明书：
- IS61WV25616EDBLL-10TLI说明书
- RoHS 状态
- 符合 ROHS3 规范
- 湿气敏感性等级 (MSL)
- 3（168 小时）
- REACH 状态
- 非 REACH 产品
- ECCN
- 3A991B2A
- HTSUS
- 8542.32.0041
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ISSI(芯成) |
| 系列 | - |
| 包装 | 托盘 |
| 零件状态 | 在售 |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器格式 | SRAM |
| 技术 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 4Mb（256K x 16） |
| 存储器接口 | 并联 |
| 写周期时间 - 字，页 | 10ns |
| 访问时间 | 10 ns |
| 电压 - 供电 | 2.4V ~ 3.6V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 标准包装 | 135 |
文档与视频信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 规格书 | IS6(1,4)WV25616EDBLL |
| HTML 规格书 | IS6(1,4)WV25616EDBLL |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| CY62147G30-45ZSXI | Rochester Electronics, LLC | ¥59.21000 | 类似 |
| CY62146ESL-45ZSXI | Rochester Electronics, LLC | ¥35.87533 | 类似 |
| 71V416S15PHG | Renesas Electronics America Inc | ¥63.90000 | 类似 |
| 71V416S12PHG8 | Renesas Electronics America Inc | ¥50.27606 | 类似 |
| 71V416S12PHG | Renesas Electronics America Inc | ¥63.90000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 3222
- 货期
- 大陆：7~10天
- 标准包装
- 135 / PCS
- 包装
- 托盘
单价：￥27.644924 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥38.295396 | ￥38.30 |
| 10+ | ￥34.718258 | ￥347.18 |
| 25+ | ￥33.970005 | ￥849.25 |
| 40+ | ￥33.785118 | ￥1351.40 |
| 135+ | ￥30.291496 | ￥4089.35 |
| 270+ | ￥30.181521 | ￥8149.01 |
| 540+ | ￥29.078689 | ￥15702.49 |
| 945+ | ￥27.644924 | ￥26124.45 |
