IXFA180N10T2
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- IXFA180N10T2
- 制造商:
- IXYS艾赛斯
- 系列:
- HiPerFET™, TrenchT2™
- 描述:
- MOSFET N-CH 100V 180A TO263
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 100 V 180A(Tc) 480W(Tc) TO-263(IXFA)
- 规格说明书:
- IXFA180N10T2说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | IXYS(艾赛斯) |
系列 | HiPerFET™, TrenchT2™ |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 180A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 6 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 185 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 10500 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 480W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | TO-263(IXFA) |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装 | 50 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
PSMN7R0-100BS,118 | Nexperia USA Inc. | ¥23.96000 | 类似 |
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- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥57.426147 | ¥57.43 |
10+ | ¥51.856791 | ¥518.57 |
100+ | ¥42.929977 | ¥4293.00 |
500+ | ¥37.382963 | ¥18691.48 |
1000+ | ¥32.888187 | ¥32888.19 |