STX112
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | - |
包装 | 散装 |
零件状态 | 停产 |
晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2 A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 100 V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 2.5V @ 8mA,2A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 2mA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 1000 @ 1A,4V |
功率 - 最大值 | 1.2 W |
频率 - 跃迁 | - |
工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
标准包装 | 2,500 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 散装
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
暂无报价 |