IRL60SL216
![Infineon photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Infineon Technologies.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/Infineon/ZmQ3PscR.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Infineon/ZmQ3PscR.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- IRL60SL216
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- HEXFET®, StrongIRFET™
- 描述:
- MOSFET N-CH 60V 195A TO262-3
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 60 V 195A(Tc) 375W(Tc) TO-262-3
- 规格说明书:
- IRL60SL216说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | HEXFET®, StrongIRFET™ |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 195A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.95 毫欧 @ 100A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 255 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 15330 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 375W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-262-3 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装 | 50 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥80.36013 | ¥80.36 |
10+ | ¥72.612502 | ¥726.13 |
100+ | ¥60.116216 | ¥6011.62 |
500+ | ¥56.288225 | ¥28144.11 |