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STD8N60DM2

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制造商编号:
STD8N60DM2
制造商:
ST意法半导体
系列:
MDmesh™ DM2
描述:
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 600 V 8A(Tc) 85W(Tc) DPAK
规格说明书:
STD8N60DM2说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 MDmesh™ DM2
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 600 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 13.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 375 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 85W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 2,500

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
FCD7N60TM-WS onsemi ¥13.90000 类似
CDM7-600LR TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp ¥13.36000 类似
IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies ¥8.14000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥14.886572 ¥14.89
10+ ¥13.27025 ¥132.70
100+ ¥10.345141 ¥1034.51
500+ ¥8.545736 ¥4272.87
1000+ ¥7.155471 ¥7155.47
2500+ ¥7.155505 ¥17888.76

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