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PDTD113ES,126

NXP photo

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制造商编号:
PDTD113ES,126
制造商:
NXP恩智浦
系列:
-
描述:
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:
晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) NPN - 预偏压 50 V 500 mA 500 mW 通孔 TO-92-3
规格说明书:
PDTD113ES,126说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 NXP(恩智浦)
系列 -
包装 带盒(TB)
零件状态 停产
晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 基极 (R1) 1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2) 1 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 33 @ 50mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
功率 - 最大值 500 mW
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商器件封装 TO-92-3
标准包装 2,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
2,000 / PCS
包装
带盒(TB)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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