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SQS420EN-T1_GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SQS420EN-T1_GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8
详细描述:
表面贴装型 N 通道 20 V 8A(Tc) 18W(Tc) PowerPAK® 1212-8
规格说明书:
SQS420EN-T1_GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 28 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 14 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 490 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 18W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥9.187272 ¥9.19
10+ ¥8.246887 ¥82.47
100+ ¥6.43166 ¥643.17
500+ ¥5.313207 ¥2656.60
1000+ ¥4.194605 ¥4194.61
3000+ ¥4.194605 ¥12583.82

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