SIRA32DP-T1-RE3
![Vishay photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Vishay Siliconix.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/Vishay/HD7OSAyY.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Vishay/HD7OSAyY.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SIRA32DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET® Gen IV
- 描述:
- MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 25 V 60A(Tc) 65.7W(Tc) PowerPAK® SO-8
- 规格说明书:
- SIRA32DP-T1-RE3说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® Gen IV |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 25 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.2 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 83 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | +16V,-12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4450 pF @ 10 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 65.7W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥9.711607 | ¥9.71 |
10+ | ¥8.71081 | ¥87.11 |
100+ | ¥6.787866 | ¥678.79 |
500+ | ¥5.607678 | ¥2803.84 |
1000+ | ¥4.427114 | ¥4427.11 |
3000+ | ¥4.427171 | ¥13281.51 |