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STL65N3LLH5
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- 制造商编号：
- STL65N3LLH5
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- STripFET™ V
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 65A POWERFLAT
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 30 V 65A（Tc） 60W（Tc） PowerFlat™（5x6）
- 规格说明书：
- STL65N3LLH5说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | STripFET™ V |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 65A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.8 毫欧 @ 9.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±22V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1500 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 60W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | ¥6.37000 | 类似 |
| BSC886N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | ¥6.45000 | 类似 |
| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | ¥9.45000 | 类似 |
| FDMS7672 | onsemi | ¥7.14000 | 类似 |
| AON6414A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥3.76000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥6.99673 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥11.364283 | ￥11.36 |
| 10+ | ￥9.310257 | ￥93.10 |
| 100+ | ￥8.153562 | ￥815.36 |
| 500+ | ￥7.657736 | ￥3828.87 |
| 1000+ | ￥7.547649 | ￥7547.65 |
| 3000+ | ￥6.99673 | ￥20990.19 |
