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NTR2101PT1G

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制造商编号:
NTR2101PT1G
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
MOSFET P-CH 8V SOT23-3
详细描述:
表面贴装型 P 通道 8 V 3.7A(Ta) 960mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
规格说明书:
NTR2101PT1G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 8 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 52 毫欧 @ 3.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1173 pF @ 4 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 960mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥1.03742 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4.960994 ¥4.96
10+ ¥3.723854 ¥37.24
100+ ¥2.319358 ¥231.94
500+ ¥1.586598 ¥793.30
1000+ ¥1.220492 ¥1220.49
3000+ ¥1.098431 ¥3295.29
6000+ ¥1.03742 ¥6224.52

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