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STGP12NB60KD

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制造商编号:
STGP12NB60KD
制造商:
ST意法半导体
系列:
PowerMESH™
描述:
IGBT 600V 30A 125W TO220
详细描述:
IGBT - 600 V 30 A 125 W 通孔 TO-220
规格说明书:
STGP12NB60KD说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 PowerMESH™
包装 管件
零件状态 停产
IGBT 类型 -
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.8V @ 15V,12A
功率 - 最大值 125 W
开关能量 258µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 54 nC
25°C 时 Td(开/关)值 25ns/96ns
测试条件 480V,12A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 80 ns
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1,000 / PCS
包装
管件
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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