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1N5281BDO35TR
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- 制造商编号：
- 1N5281BDO35TR
- 制造商：
- Microsemi美高森美
- 系列：
- -
- 描述：
- DIODE ZENER 200V 500MW DO35
- 详细描述：
- 二极管 - 齐纳 200 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
- 规格说明书：
- 1N5281BDO35TR说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi(美高森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 200 V |
| 容差 | ±5% |
| 功率 - 最大值 | 500 mW |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 kOhms |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100 nA @ 152 V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.5 V @ 200 mA |
| 工作温度 | -65°C ~ 175°C |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商器件封装 | DO-35 |
| 标准包装 | 5,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 5,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 5000+ | ￥28.30082 | ￥141504.10 |
