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TK7J90E,S1E

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制造商编号:
TK7J90E,S1E
制造商:
Toshiba东芝
系列:
π-MOSVIII
描述:
MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
详细描述:
通孔 N 通道 900 V 7A(Ta) 200W(Tc) TO-3P(N)
规格说明书:
TK7J90E,S1E说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Toshiba(东芝)
系列 π-MOSVIII
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2 欧姆 @ 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 32 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1350 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 200W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-3P(N)
封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3
标准包装 25

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
25 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥24.769158 ¥24.77
10+ ¥22.22613 ¥222.26
100+ ¥17.865368 ¥1786.54
500+ ¥14.677772 ¥7338.89
1000+ ¥12.161508 ¥12161.51
2000+ ¥11.437196 ¥22874.39

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