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NDB6030PL
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- 制造商编号：
- NDB6030PL
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 30 V 30A（Tc） 75W（Tc） D²PAK（TO-263）
- 规格说明书：
- NDB6030PL说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 19A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 36 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1570 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 75W（Tc） |
| 工作温度 | -65°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| MTB50P03HDLT4G | onsemi | ¥31.41000 | 类似 |
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- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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