SI3424DV-T1-GE3
![Vishay photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Vishay Siliconix.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/Vishay/ZbXFuYkz.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Vishay/ZbXFuYkz.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SI3424DV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET N-CH 30V 5A 6TSOP
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 30 V 5A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
- 规格说明书:
- SI3424DV-T1-GE3说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 28 毫欧 @ 6.7A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 800mV @ 250µA(最小) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 18 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1.14W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
标准包装 | 3,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
RSQ045N03TR | Rohm Semiconductor | ¥5.61000 | 类似 |
FDC855N | onsemi | ¥5.45000 | 类似 |
RTQ045N03TR | Rohm Semiconductor | ¥5.15000 | 类似 |
RSQ020N03TR | Rohm Semiconductor | ¥5.45000 | 类似 |
RTQ035N03TR | Rohm Semiconductor | ¥5.30000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
暂无报价 |