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IPB65R660CFDAATMA1

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制造商编号:
IPB65R660CFDAATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
描述:
MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 650 V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO263-3
规格说明书:
IPB65R660CFDAATMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 660 毫欧 @ 3.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 20 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 543 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 62.5W(Tc)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO263-3
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 1,000

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型号 品牌 参考价格 说明
R6007KNJTL Rohm Semiconductor ¥13.67000 类似

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标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥16.934062 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥29.989771 ¥29.99
10+ ¥26.927383 ¥269.27
100+ ¥21.641748 ¥2164.17
500+ ¥17.780875 ¥8890.44
1000+ ¥16.934062 ¥16934.06

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