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NP83P06PDG-E1-AY
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- NP83P06PDG-E1-AY
- 制造商：
- Renesas瑞萨
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET P-CH 60V 83A TO263
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 60 V 83A（Tc） 1.8W（Ta），150W（Tc） TO-263
- 规格说明书：
- NP83P06PDG-E1-AY说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Renesas(瑞萨) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 83A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.8 毫欧 @ 41.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 190 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10100 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta），150W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-263 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥16.499894 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥27.30412 | ￥27.30 |
| 800+ | ￥16.499894 | ￥13199.92 |
