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AUIRF7669L2TR

Infineon photo

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制造商编号:
AUIRF7669L2TR
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET
详细描述:
表面贴装型 N 通道 100 V 19A(Ta),114A(Tc) 3.3W(Ta),100W(Tc) DirectFET™ 等距 L8
规格说明书:
AUIRF7669L2TR说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 19A(Ta),114A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.4 毫欧 @ 68A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 120 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 5660 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.3W(Ta),100W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DirectFET™ 等距 L8
封装/外壳 DirectFET™ 等距 L8
标准包装 4,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
4,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥65.866588 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
4000+ ¥65.866588 ¥263466.35

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