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PZM6.2NB1,115

NXP photo

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制造商编号:
PZM6.2NB1,115
制造商:
NXP恩智浦
系列:
-
描述:
DIODE ZENER 6.2V 300MW SMT3
详细描述:
二极管 - 齐纳 6.2 V 300 mW ±2% 表面贴装型 SMT3; MPAK
规格说明书:
PZM6.2NB1,115说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 NXP(恩智浦)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 6.2 V
容差 ±2%
功率 - 最大值 300 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 2 µA @ 3 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.1 V @ 100 mA
工作温度 -65°C ~ 150°C
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装 SMT3; MPAK
标准包装 3,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
BZX84B6V2LT1G onsemi ¥1.54000 类似
BZX84B6V8LT1G onsemi ¥1.61000 类似
MMBZ5233BLT1G onsemi ¥1.15000 类似
BZX84-B6V2,215 Nexperia USA Inc. ¥1.61000 类似

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货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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