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STW28N65M2
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- 制造商编号：
- STW28N65M2
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- MDmesh™ M2
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 20A TO247
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 650 V 20A（Tc） 170W（Tc） TO-247-3
- 规格说明书：
- STW28N65M2说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | MDmesh™ M2 |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 35 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1440 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 170W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| SPW24N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | ¥65.74000 | 类似 |
| IXFH30N60X | IXYS | ¥63.82000 | 类似 |
| IXFH36N60P | IXYS | ¥89.08000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥25.688265 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥42.771481 | ￥42.77 |
| 10+ | ￥38.433408 | ￥384.33 |
| 100+ | ￥31.486275 | ￥3148.63 |
| 500+ | ￥26.803718 | ￥13401.86 |
| 1000+ | ￥25.688265 | ￥25688.26 |
