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SIHP22N60S-E3
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- 制造商编号：
- SIHP22N60S-E3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 600 V 22A（Tc） TO-220AB
- 规格说明书：
- SIHP22N60S-E3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 22A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 190 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 110 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2810 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 25 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPP60R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | ¥28.26000 | 类似 |
| STP18N65M5 | STMicroelectronics | ¥24.50000 | 类似 |
| STP28NM60ND | STMicroelectronics | ¥54.53000 | 类似 |
| STP30N65M5 | STMicroelectronics | ¥52.68000 | 直接 |
| IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | ¥28.26000 | 类似 |
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- 标准包装
- 25 / PCS
- 包装
- 管件
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| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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