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SIZ980BDT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ980BDT-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET® Gen IV
- 描述：
- MOSFET DUAL N-CH 30V PPAIR 6 X 5
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（双），肖特基 30V 23.7A（Ta），54.8A（Tc），54.3A（Ta），197A（Tc） 3.8W（Ta），20W（Tc），5W（Ta），66W（Tc） 表面贴装型 8-PowerPair®（6x5）
- 规格说明书：
- SIZ980BDT-T1-GE3说明书
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 个 N 通道（双），肖特基 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23.7A（Ta），54.8A（Tc），54.3A（Ta），197A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.39 毫欧 @ 15A，10V，1.06 毫欧 @ 19A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18nC @ 10V，79nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 790pF @ 15V，3655pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 3.8W（Ta），20W（Tc），5W（Ta），66W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PowerPair®（6x5） |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥7.538834 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥16.61125 | ￥16.61 |
| 10+ | ￥14.828276 | ￥148.28 |
| 100+ | ￥11.55949 | ￥1155.95 |
| 500+ | ￥9.549131 | ￥4774.57 |
| 1000+ | ￥7.538772 | ￥7538.77 |
| 3000+ | ￥7.538834 | ￥22616.50 |
