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STP13N60M2

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制造商编号:
STP13N60M2
制造商:
ST意法半导体
系列:
MDmesh™ II Plus
描述:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
详细描述:
通孔 N 通道 600 V 11A(Tc) 110W(Tc) TO-220
规格说明书:
STP13N60M2说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 MDmesh™ II Plus
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 380 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 17 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 580 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 110W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥11.727045 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥21.771181 ¥21.77
10+ ¥19.536869 ¥195.37
100+ ¥15.700739 ¥1570.07
500+ ¥12.899705 ¥6449.85
1000+ ¥11.727045 ¥11727.05

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