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SIR626DP-T1-RE3
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- 制造商编号：
- SIR626DP-T1-RE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET® Gen IV
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 60 V 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK® SO-8
- 规格说明书：
- SIR626DP-T1-RE3说明书
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.7 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 78 nC @ 7.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5130 pF @ 30 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 104W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥17.246082 | ￥17.25 |
| 10+ | ￥15.503236 | ￥155.03 |
| 100+ | ￥12.460494 | ￥1246.05 |
| 500+ | ￥10.237356 | ￥5118.68 |
| 1000+ | ￥8.774904 | ￥8774.90 |
| 3000+ | ￥8.774847 | ￥26324.54 |
