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DMN90H8D5HCT
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- 制造商编号：
- DMN90H8D5HCT
- 制造商：
- Diodes美台
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 900 V 2.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
- 规格说明书：
- DMN90H8D5HCT说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes(美台) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 900 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 欧姆 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.9 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 470 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥10.771677 | ￥10.77 |
| 10+ | ￥9.655754 | ￥96.56 |
| 100+ | ￥7.529915 | ￥752.99 |
| 500+ | ￥6.220398 | ￥3110.20 |
| 1000+ | ￥4.910836 | ￥4910.84 |
| 2000+ | ￥4.583457 | ￥9166.91 |
| 5000+ | ￥4.464398 | ￥22321.99 |
