您好,欢迎来到壹方微芯!

BYM300B170DN2HOSA1

Infineon photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
BYM300B170DN2HOSA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
-
描述:
IGBT MOD 650V 40A 20MW
详细描述:
IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 650 V 40 A 20 mW 底座安装 模块
规格说明书:
BYM300B170DN2HOSA1说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 -
包装 托盘
零件状态 最后售卖
IGBT 类型 沟槽型场截止
配置 2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 40 A
功率 - 最大值 20 mW
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 1.55V @ 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值) 40 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 2.8 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 模块
标准包装 10

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
FF225R12ME4BOSA1 Rochester Electronics, LLC ¥1,147.69000 类似

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
10 / PCS
包装
托盘
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
10+ ¥2433.171373 ¥24331.71

相关产品