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IPT60R080G7XTMA1
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- 制造商编号：
- IPT60R080G7XTMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- CoolMOS™ G7
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 650 V 29A（Tc） 167W（Tc） PG-HSOF-8-2
- 规格说明书：
- IPT60R080G7XTMA1说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | CoolMOS™ G7 |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 29A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 80 毫欧 @ 9.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 490µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 42 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1640 pF @ 400 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 167W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-HSOF-8-2 |
| 封装/外壳 | 8-PowerSFN |
| 标准包装 | 2,000 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 2,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥82.902018 | ￥82.90 |
| 10+ | ￥74.855746 | ￥748.56 |
| 100+ | ￥61.972706 | ￥6197.27 |
| 500+ | ￥58.027263 | ￥29013.63 |
| 2000+ | ￥58.027252 | ￥116054.50 |
