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ALD111933SAL

Advanced Linear Devices photo

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制造商编号:
ALD111933SAL
制造商:
Advanced Linear Devices
系列:
EPAD®
描述:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)配对 10.6V - 500mW 表面贴装型 8-SOIC
规格说明书:
ALD111933SAL说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Advanced Linear Devices
系列 EPAD®
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道(双)配对
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 10.6V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 500 欧姆 @ 5.9V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.35V @ 1µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2.5pF @ 5V
功率 - 最大值 500mW
工作温度 0°C ~ 70°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥24.205575 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥47.073496 ¥47.07
10+ ¥42.243054 ¥422.43
100+ ¥34.613443 ¥3461.34
500+ ¥29.466243 ¥14733.12
1000+ ¥24.851051 ¥24851.05
2000+ ¥24.205575 ¥48411.15

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